一种保护碳化硅籽晶背封层的方法
公开
摘要
本发明提供了一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，涉及碳化硅晶体制备的领域，通过在碳化膜表面形成一层致密保护层，从而在清洗晶片过程中有效保护背封层，清洗结束后，将碳化膜表面的保护层去除，再进行后续晶体生长。本发明提供的一种保护碳化硅籽晶背封层的方法，在有效清洁籽晶片的同时有效地保护了背封层的完整性，进而有效提高了采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的生长品质。此外，本发明步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求。
基本信息
专利标题 ：
一种保护碳化硅籽晶背封层的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622174A
申请号 ：
CN202210260433.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋琳方忠炜朱鑫煌张振远王明华
申请人 ：
杭州乾晶半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号信息港五期一号楼205-2
代理机构 ：
杭州五洲普华专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
姚宇吉
优先权 ：
CN202210260433.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C16/50 C30B29/36 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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