一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体
授权
摘要
本发明涉及一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体。所述碳化硅籽晶包括正面和背面，所述背面覆有保护层，所述保护层包括过渡层和碳膜层，所述过渡层位于籽晶与碳膜层之间，所述过渡层为碳化硅颗粒与碳复合的膜层。保护层与籽晶的粘附力高，能有效地保护籽晶背面，抑制背向蒸发，提高碳化硅晶体质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅籽晶及其处理方法和一种碳化硅晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112281220A
申请号 ：
CN201910674058.7
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2019-07-25
授权号 ：
CN112281220B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
郭少聪王军陈小芳周维蔡凯黄晓升崔孟华
申请人 ：
比亚迪股份有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市坪山新区比亚迪路3009号
代理机构 ：
北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
董琳
优先权 ：
CN201910674058.7
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2021-03-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20190725
申请日 : 20190725
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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