用于晶体硅铸锭的籽晶层结构
授权
摘要
本申请提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构，包括沿水平方向间隔排布在坩埚底部的第一籽晶、设置在相邻所述第一籽晶之间的第二籽晶，所述第一籽晶、第二籽晶相互拼接，且所述第二籽晶的底部与坩埚的底壁之间形成有间隙。本申请籽晶层结构用于铸锭过程中，流入籽晶层结构底部的熔融硅料重新凝固时，所述间隙能够收容流入的硅料并降低硅料重新凝固膨胀对籽晶层结构的影响，提高铸锭质量。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体硅铸锭的籽晶层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922418171.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-27
授权号 ：
CN211339742U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
陈伟王全志李林东唐珊珊丁云飞
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡彭年
优先权 ：
CN201922418171.7
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B11/14 C30B28/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
