用于晶体硅铸锭炉的导流装置和晶体硅铸锭炉
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于晶体硅铸锭炉的导流装置，包括固定套筒和至少一个中空的导流筒，所述固定套筒用于将所述导流筒固定在所述晶体硅铸锭炉上；所述导流筒两端口之间的筒壁内侧上设有螺旋凹槽，气体经所述导流装置后能形成螺旋气流。通过所述导流装置，可以向坩埚中央部位引入旋转的涡流气体，该旋转的涡流气体具有一定的离心力作用，有利于后续晶体硅铸锭过程的硅锭排杂。本实用新型还提供了一种晶体硅铸锭炉。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体硅铸锭炉的导流装置和晶体硅铸锭炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921853547.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-10-30
授权号 ：
CN210826446U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
张细根胡斌范立峰
申请人 ：
赛维LDK太阳能高科技（新余）有限公司;江西赛维LDK太阳能高科技有限公司
申请人地址 ：
江西省新余市高新技术产业园区
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
郝传鑫
优先权 ：
CN201921853547.0
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B28/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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