一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉
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摘要

本实用新型实施例提供了一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉,包括:炉体,所述炉体包括相互配合的上炉体和下炉体,所述下炉体底部设置一轴孔;支撑台,所述支撑台包括旋转轴和固定在所述旋转轴一端的热交换台,所述热交换台上设有坩埚;所述旋转轴的另一端穿过所述轴孔,且与设置在所述下炉体外部的旋转驱动装置连接,旋转轴内还设有冷却液循环管道,所述冷却液循环管道用于通入冷却液并供所述冷却液循环流动,以实现所述旋转轴的循环冷却;护板;隔热笼,以及设置在所述隔热笼内的加热器。该铸锭炉实现对坩埚的均匀加热,可以大大改善硅锭各个侧面上存在的大量凹凸界面,可以显著减少制备得到的硅锭尾部红区,提升硅锭的质量和出材率。

基本信息
专利标题 :
一种定向凝固生长晶体硅的铸锭炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920654622.4
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-05-08
授权号 :
CN209836368U
授权日 :
2019-12-24
发明人 :
陈仙辉邹贵付何亮毛伟雷琦
申请人 :
赛维LDK太阳能高科技(新余)有限公司
申请人地址 :
江西省新余市高新技术产业园区
代理机构 :
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 :
郝传鑫
优先权 :
CN201920654622.4
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B11/00  C30B28/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2019-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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