晶体单面定向生长方法和装置
公开
摘要
晶体的单面定向生长方法和装置，属于晶体生长技术领域，本发明采用高质量定向切片晶体作籽晶，固定在特制夹具内，夹具又以θ角固定在籽晶旋杆上，选适当的转速，其它参数及装置按已知晶体生长技术。本发明为高速度生长高质量晶体打下了良好的基础，由于本发明操作简单、取材广泛、生长晶体成本低，质量高，因而在晶体生长领域有着广阔的应用前景。
基本信息
专利标题 ：
晶体单面定向生长方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1034028A
申请号 ：
CN87101378.9
公开（公告）日 ：
1989-07-19
申请日 ：
1987-09-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
房昌水王民
申请人 ：
山东大学
申请人地址 ：
山东省济南市山大南路27号
代理机构 ：
山东大学专利事务所
代理人 ：
孙君
优先权 ：
CN87101378.9
主分类号 ：
C30B7/08
IPC分类号 ：
C30B7/08
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/08
溶液冷却法
法律状态
1989-07-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
