一种利用扰流辅助晶体生长的铸锭装置
授权
摘要

一种利用扰流辅助晶体生长的铸锭装置,涉及太阳能电池制造设备领域,包括内置有坩埚的铸锭炉,在铸锭炉内设置有搅拌轴,搅拌轴通过传动机构与配套的驱动装置相接,在铸锭炉的炉盖上固定安装有用于带动驱动装置升降的升降机构;在铸锭炉的炉盖上固定设有与搅拌轴相配套的动态密封机构,在搅拌轴的下部固定安装有用于搅动坩埚内熔体的石墨搅拌叶片,在石墨搅拌叶片上固定复合有陶瓷涂层或陶瓷壳层。本实用新型通过石墨搅拌叶片上下搅动坩埚内熔体,使硅、锗熔体在坩埚中形成充分的水平对流,有利于降低晶体内的位错密度等缺陷,从而提高晶体的生产质量。

基本信息
专利标题 :
一种利用扰流辅助晶体生长的铸锭装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921132429.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-18
授权号 :
CN210237839U
授权日 :
2020-04-03
发明人 :
尹长浩
申请人 :
尹长浩
申请人地址 :
江苏省连云港市东海县和平西路104号清源小区2号楼102室
代理机构 :
连云港润知专利代理事务所
代理人 :
刘喜莲
优先权 :
CN201921132429.0
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06  C30B29/06  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2020-04-03 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210237839U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332