用于晶体硅铸锭的籽晶层结构
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摘要
本实用新型提供了一种用于晶体硅铸锭的籽晶层结构，包括若干籽晶组，每一籽晶组包括若干沿第一方向依次排布的籽晶，所述籽晶具有顶面及沿周向首尾依次相接的四个拼接面，所述籽晶组中两个相邻籽晶间的接缝与另一相邻籽晶组中位置相对应的两个相邻籽晶间的接缝呈错位设置。采用上述籽晶层结构进行晶体硅锭的生产，相邻籽晶间的接缝可在铸锭过程中形成稳定的三叉晶界，减少位错增殖，降低缺陷密度。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体硅铸锭的籽晶层结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921301389.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-12
授权号 ：
CN211814707U
授权日 ：
2020-10-30
发明人 ：
周硕
申请人 ：
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
胡彭年
优先权 ：
CN201921301389.8
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
2020-10-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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