一种籽晶生长装置
授权
摘要
本实用新型提供一种籽晶生长装置，所述装置包括坩埚盖、中继环和坩埚，其中，所述坩埚盖盖合于所述中继环的上方开口，所述中继环包括支架和台座，所述支架活动连接于所述中继环内部，用于使所述台座保持水平。本实用新型提供的装置通过将生长台座进行悬空设计，避免了多晶从坩埚盖沿着台座底部生长，从而提高生碳化硅长晶的效率以及稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种籽晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922044074.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN212103060U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
匡怡君
申请人 ：
上海联兴商务咨询中心
申请人地址 ：
上海市奉贤区沿钱公路5601号1幢
代理机构 ：
北京市海问律师事务所
代理人 ：
陈吉云
优先权 ：
CN201922044074.6
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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