一种图形化外延生长的设备结构
授权
摘要
本实用新型涉及图形化功能层制备技术领域，且公开了一种图形化外延生长的设备结构，包括真空腔室，所述真空腔室一端设置有供气管，且所述供气管与所述真空腔室固定连接，所述供气管远离所述真空腔室一端设置有真空泵，且所述真空泵与所述供气管固定连接。该一种图形化外延生长的设备结构，通过设置真空腔室，将晶圆置于真空腔室，有利于功能膜层的均匀性，同时极大的减少污染提高成品率，激光发生器通过激光窗口向真空腔室内部照射，激光窗口允许激光通过并照射在晶圆的表面，激光发生器产生的激光通过光学聚焦系统形成纳米尺度光斑，使得装置与3D打印机相比可以打印纳米级图案，可应用在集成电路制备。
基本信息
专利标题 ：
一种图形化外延生长的设备结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020541308.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-04-13
授权号 ：
CN212476874U
授权日 ：
2021-02-05
发明人 ：
宣荣卫吕俊
申请人 ：
艾华（无锡）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 ：
连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘刚
优先权 ：
CN202020541308.8
主分类号 ：
C23C16/44
IPC分类号 ：
C23C16/44 C23C16/56 C23C14/22 C23C14/58 H01L21/67 B82Y30/00 B82Y40/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
法律状态
2021-02-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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