一种外延生长设备的反应室结构
授权
摘要
本实用新型公开了一种外延生长设备的反应室结构,包括:石英管、感应加热装置、反应腔室组件、分气组件、抽气组件,所述石英管为两端设有开口的圆形筒体结构,所述石英管的上部中间位置垂直设有第一圆筒,所述感应加热装置活动设置在所述石英管的外部,两个所述反应腔室组件活动设置所述石英管的内部,所述分气组件活动设置在所述石英管内并与所述第一圆筒活动连接,两个所述抽气组件分别设置在所述石英管的两端。本实用新型通过增加分机组件,改进了反应腔体结构,完成了两台设备的产能,极大的降低了成本,节省了大部分洁净室空间,控制保护气体与反应气体的流量,减少反应气体从反应室内流出的速率,提高了气体利用率。
基本信息
专利标题 :
一种外延生长设备的反应室结构
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202020207425.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-02-25
授权号 :
CN212713845U
授权日 :
2021-03-16
发明人 :
刘子优肖蕴章陈炳安钟国仿张灿张新河
申请人 :
深圳市纳设智能装备有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市光明区凤凰街道凤凰社区观光路招商局光明科技园A6栋1B
代理机构 :
北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
郭堃
优先权 :
CN202020207425.0
主分类号 :
C30B25/08
IPC分类号 :
C30B25/08 C30B25/14 C30B25/16 C30B25/20 C30B28/14 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长,例如化学气相沉积生长
C30B25/02
外延层生长
C30B25/08
反应室;其所用材料的选择
法律状态
2021-03-16 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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