一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种用于氮化镓外延生长的衬底材料，其特征在于(1)所述的材料为绝缘体上的硅材料或具有单晶硅—绝缘埋层—单晶硅的三层复合结构的衬底材料；(2)顶层的硅被刻蚀成独立的硅岛且硅岛下面保留一部分的绝缘埋层；硅岛各平行边之间的垂直距离小于外延氮化镓厚度的两倍；硅岛下面绝缘埋层剩余部分的截面积S2小于硅岛面积S1/4，而大于S1/25；本发明的图形化衬底材料具有大尺寸、低成本优点，可提高吸收异质外延的应力，提高外延生长的GaN晶体的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种用于氮化镓外延生长的图形化衬底材料
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828913A
申请号 ：
CN200610023694.6
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
孙佳胤陈静王曦
申请人 ：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
上海智信专利代理有限公司
代理人 ：
潘振甦
优先权 ：
CN200610023694.6
主分类号 ：
H01L27/12
IPC分类号 ：
H01L27/12
法律状态
2013-03-27 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101423718395
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100236946
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20120126
号牌文件序号 : 101423718395
IPC(主分类) : H01L 27/12
专利号 : ZL2006100236946
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20080625
终止日期 : 20120126
2008-06-25 ：
授权
2006-10-25 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
