一种处理籽晶的装置
授权
摘要
本实用新型提供一种处理籽晶的装置，所述装置包括石墨盘片、坩埚和支撑架，所述石墨盘片具有多个通孔，所述支撑架包括支撑架壁和主体部分，其中主体部分包括支撑臂、托架和中心空洞。通过调节温度、压力以及处理时间，在籽晶的下表面(非生长面)与石墨盘片之间生长一层很薄的致密碳化硅层，从而起到籽晶与石墨盘片粘接的作用。本实用新型提供籽晶处理装置可以做到批量处理籽晶的作用。
基本信息
专利标题 ：
一种处理籽晶的装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922043834.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN212103064U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
匡怡君
申请人 ：
上海联兴商务咨询中心
申请人地址 ：
上海市奉贤区沿钱公路5601号1幢
代理机构 ：
北京市海问律师事务所
代理人 ：
陈吉云
优先权 ：
CN201922043834.1
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B23/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212103064U.PDF
PDF下载
