四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长

专利权的终止未缴年费专利权终止

摘要

四硼酸锂单晶(Li2B4O7∶LBO)的坩埚下降法(Bridgman)生长，属于单晶生长领域。本发明的特征是：横截面积P(＝S晶种/S晶体)≥15％的LBO晶种和密度为0.9～1.4克/厘米3的LBO压块，放入壁厚为0.08～0.15毫米的铂金坩埚中，在950～1100℃炉温下熔化压块和晶种顶部，再将铂坩埚以≤0.3毫米小时的速度下降，即可生长出无色透明，完整性好，不易开裂的LBO单晶体。本方法温场稳定，工艺设备简单，操作方便，可将多只坩埚放入Bridgman单晶炉内，同时生长不同形状和尺寸的单晶。

基本信息

专利标题：

四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1042575A

申请号：

CN88105599.9

公开（公告）日：

1990-05-30

申请日：

1988-11-05

授权号：

CN1015920B

授权日：

1992-03-18

发明人：

范世

申请人：

中国科学院上海硅酸盐研究所

申请人地址：

上海市长宁区长宁路865号

代理机构：

中国科学院上海专利事务所

代理人：

聂淑仪

优先权：

CN88105599.9

主分类号：

C30B29/22

IPC分类号：

C30B29/22 C30B11/14

IPC结构图谱

C部——化学；冶金

C30

晶体生长

C30B

单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置

C30B29/00

以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料

C30B29/10

无机化合物或组合物

C30B29/16

氧化物

C30B29/22

复合氧化物

法律状态

2007-01-03 ：

专利权的终止未缴年费专利权终止

2003-09-03 ：

专利实施许可合同的备案

IPC(主分类) : IPC(主分类) C30B29/22
合同备案号 : 合同备案号 033100030009
专利号 : 专利号 ZL88105599.9
申请日 : 19881105
让与人 : 中国科学院上海硅酸盐研究所
受让人 : 上海市硅酸盐研究所中试基地
发明名称 : 发明名称四硼酸锂(LBO)单晶的坩埚下降法生长
授权公告日 : 19921021
许可种类 : 普通许可
备案日期 : 20030408
合同履行期限 : 合同履行期限 2003年3月27日至2008年11月5日

2002-04-24 ：

其他有关事项

1992-10-21 ：

授权

1992-03-18 ：

审定

1990-05-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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