硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
专利申请的视为撤回
摘要
一种硅酸铋(Bi12SiO20)(简称BSO)单晶体的坩埚下降法生长，特点是用高纯氧化铋和氧化硅作原料，装入有晶种的铂金坩埚内，置于特殊设计的，能同时生长多根晶体的生长炉中，在特定的温场下，以一定的速度下降坩埚进行生长。利用本技术可沿[100]、[110]、[111]和[112]中的任一方向生长正、长方体形或圆柱体形的晶体。尺寸达35×35×100mm，35×70×100mm，Φ50×100mm。本法设备简单，可同时生长多根晶体，其形状和尺寸可根据需要选择，晶体利用率比提拉法提高30％以上，降低成本，晶体质量高，尺寸大。
基本信息
专利标题 ：
硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1072221A
申请号 ：
CN91107519.4
公开（公告）日 ：
1993-05-19
申请日 ：
1991-11-01
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何崇藩廖晶莹沈炳孚邵培发徐学武周乐中万立瑾王腊妹彭兆娟
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN91107519.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
1996-12-18 ：
专利申请的视为撤回
1993-05-19 ：
公开
1992-03-25 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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