一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚，所述石墨坩埚包括石墨坩埚主体；所述石墨坩埚还包括若干石墨封闭环，所有石墨封闭环均放置于石墨坩埚主体内，或与石墨坩埚主体固定连接，共同作为SiC单晶生长装置中的加热元件，所述石墨坩埚主体内所有石墨封闭环以外空间即其他空间；硅源置于石墨坩埚的其他空间内，由加热元件加热，石墨坩埚主体与封闭环中的碳进入硅溶液中，形成SiC溶液。可以提高加热效率，改善SiC溶液温度分布，同时在多方位提供碳源，使得SiC溶液组分分布的也更加均匀。避免由于温度和组分分布不均对SiC单晶的生长造成的不利影响。
基本信息
专利标题 ：
一种用于SiC单晶生长装置中的石墨坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122600151.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-28
授权号 ：
CN216514245U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
张新峰龙安泽周彩云杜陈
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋市城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙腾
优先权 ：
CN202122600151.9
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
