一种用于单晶生长的升降装置
授权
摘要
本实用新型涉及一种用于单晶生长的升降装置，提供一种采用新型支撑结构和控制单元、能够准确平稳地完成规定行程，同时能够自动停止的用于单晶生长的升降装置；该装置包括底座、升降机构、晶体支撑机构和控制机构，底座包括底座主体和可调节地脚支撑；升降机构包括电机、换向结构、升降台和螺杆螺套，电机通过换向结构驱动螺杆转动，通过固定在升降台上的螺套使得升降台实现上、下运动；晶体支撑机构包括晶体支撑平台和可调节支撑柱，通过可调节支撑柱调节晶体支撑平台的水平；控制机构包括角度传感器、限位结构、计数表、转速表和编码器；本实用新型用于半导体单晶生长领域。
基本信息
专利标题 ：
一种用于单晶生长的升降装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922127978.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-03
授权号 ：
CN211057278U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
柴晓磊梁李虎李斌
申请人 ：
山西中科晶电信息材料有限公司
申请人地址 ：
山西省运城市绛县开发区陈村（山西冲压厂西50米）
代理机构 ：
北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
申绍中
优先权 ：
CN201922127978.5
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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