一种单晶生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及单晶生长技术领域，公开了一种单晶生长装置，包括工作台、加热器、移动机构和用于放置坩埚的坩埚平台,工作台内部为中空结构，加热器底端固定连接有加热器平台，坩埚平台固定连接于工作台上且在加热器正下方，移动机构包括步进电机、第一减速机、第二减速机、第一外螺纹丝杆、传动杆、第二外螺纹丝杆、第一内螺纹丝杆、第二内螺纹丝杆、第一固定件和第二固定件。本实用新型能够解决现有技术中高于熔点的温度下进行晶体生长的晶体成分偏离原有化学计量比的问题，提供在低温下的结构简单、工作震动小和上升平稳的一种单晶生长装置。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022467407.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-30
授权号 ：
CN214193527U
授权日 ：
2021-09-14
发明人 ：
王建武李勇罗福敏王进伟
申请人 ：
威科赛乐微电子股份有限公司
申请人地址 ：
重庆市万州区万州经开区高峰园B02
代理机构 ：
广州市华学知识产权代理有限公司
代理人 ：
张晨
优先权 ：
CN202022467407.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2021-09-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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