一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚
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摘要
本实用新型公开了一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，包括圆筒形埚壁；圆筒形埚壁内侧底部设有向外凸出的弧形埚底；圆筒形埚壁顶部沿周边均布有两个以上相同深度的配重盲孔；弧形埚底为曲率半径为从周边到中心逐渐增大的结构，弧形埚底上开有进料孔。上述悬浮坩埚，通过配重盲孔的设置，可通过向配重盲孔中添加钨棒或者钼棒来调节悬浮坩埚重量，实现进料深度的调节，改善了熔体对流，提升了单晶质量；通过加大弧形埚底中心处的曲率半径，大大提升了悬浮坩埚在熔体中的稳定性，有利于单晶成晶；进一步，通过加大圆筒形埚壁的上半部分内壁的粗糙度，增加了浮渣在悬浮坩埚上半部分内壁的粘附，消除了浮渣对无位错锗单晶成晶影响，提升了单晶合格率。
基本信息
专利标题 ：
一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020948505.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-29
授权号 ：
CN212451738U
授权日 ：
2021-02-02
发明人 ：
柯尊斌陆海风秦瑶王卿伟陈仕天
申请人 ：
中锗科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市溧水开发区中兴东路9号
代理机构 ：
南京中律知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李建芳
优先权 ：
CN202020948505.1
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10 C30B15/20 C30B29/08
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
2021-02-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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