本发明涉及第三代半导体材料ZnO晶体的通气坩埚下降生长方法，属于单晶生长领域。特征是：将初始原料ZnO(4N)与助熔剂按一定的摩尔比称量、配料并均匀混合，装入贵金属坩埚内；将坩埚置于事先设计好的具有通气或通水系统的保温陶瓷管内，在下降炉中加热熔化原料；待原料完全熔化后，通入气体或水并开始以小于2mm/h速率下降坩埚，待全部熔体凝固并冷却到室温后，可获得所需的ZnO单晶。本方法的特点在于，坩埚底部通入气体使坩埚局部过冷并快速形成晶核，从而能够生长出大尺寸ZnO晶体。本方法工艺设备简单，操作方便，可一炉生长多个晶体，有利于实现晶体生长的工业化。