本发明是涉及一种非真空坩埚下降法生长氯化镧晶体的方法。其特征在于使用高纯含结晶水的LaCl₃原料，并在保持流动的惰性气氛中和不低于150℃的温度下保温10－20小时，获得无水氯化镧原料脱水。同时选择具有强还原作用的活性碳粉、硅粉、氟化铅或四氯化碳中一种作为脱氧剂。脱氧剂的加入既克服了含水氯化镧原料在高温脱水过程中所产生的氯氧化镧杂质。采用静止的双温区炉体结构，以微型电机驱动变速装置使坩埚以可调节的恒定速率下降。该技术在使用过程中具有操作简便、成本低、性能好和适合大批量生产等特点。本发明所生长的铈掺杂氯化镧(Ce∶LaCl₃)晶体适用于核医学成像SPECT(单光子正电子发射断层扫描成像)、核辐射探测、安全检查地质勘探等应用领域。