非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法，包括：（1）选用NaI、6LiX和TlX作为原料，再与脱氧剂混合后，置于坩埚中并密封；（2）将密封后的坩埚竖直置于晶体生长炉的中间位置，然后升温至700～1000℃并保温一定时间，使原料完全熔融；（3）设置固液界面的温度梯度为10～50℃/cm，坩埚下降速度为0.1～10mm/小时，开始锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的生长；（4）生长结束后，降至室温。
基本信息
专利标题 ：
非真空坩埚下降法生长锂铊共掺碘化钠闪烁晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481320A
申请号 ：
CN202011255588.7
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2020-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴云涛史坚李焕英任国浩
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区定西路1295号
代理机构 ：
上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
曹芳玲
优先权 ：
CN202011255588.7
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B11/02 G01T1/202
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/12
申请日 : 20201111
申请日 : 20201111
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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