一种电阻加热垂直多坩埚晶体下降法生长系统
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
本实用新型涉及一种晶体生长装置，尤其是一种采用垂直多坩埚下降法生长晶体的装置。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统，包括晶体炉、坩埚、晶体台和温度控制装置。晶体炉炉体从外到内包括外壳、保温棉、保温砖层、耐火层、摩根砖、工字砖层和支撑架，其中耐火层位于炉膛附近高温区，摩根砖位于炉膛中下部。这种电阻加热垂直多坩埚下降晶体生长系统能同时生长多根乃至数十根晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种电阻加热垂直多坩埚晶体下降法生长系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620107455.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-09-07
授权号 ：
CN200988868Y
授权日 ：
2007-12-12
发明人 ：
万尤宝黄国松张建新
申请人 ：
嘉兴学院
申请人地址 ：
310000浙江省嘉兴市文昌路23号
代理机构 ：
杭州中成专利事务所有限公司
代理人 ：
陈小良
优先权 ：
CN200620107455.4
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2010-01-20 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2008-03-19 ：
实用新型专利说明书更正
号 : 50
卷 : 23
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 嘉兴市晶英光电子技术有限公司
卷 : 23
页码 : 扉页
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 嘉兴市晶英光电子技术有限公司
2008-03-19 ：
实用新型专利公报更正
号 : 50
卷 : 23
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 嘉兴市晶英光电子技术有限公司
卷 : 23
页码 : 无
更正项目 : 共同专利权人
误 : 无
正 : 嘉兴市晶英光电子技术有限公司
2007-12-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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