大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用
公开
摘要
本发明提供了一种大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用，晶体生长料的预制，预先合成目标晶体的多晶，将多晶与助熔剂进行充分混合获得晶体生长料；或者不经目标晶体的多晶合成，直接将原料按照目标晶体的化学计量比进行配料，与助熔剂进行充分混合，获得晶体生长料；目标晶体的助熔剂生长，先无籽晶生长，后籽晶生长，获得目标晶体。本发明所需条件容易达到，操作简单，生长周期在20天左右可以获得30mm×30mm×2mm的大尺寸单晶，基本满足加工和物理性质表征的要求。采用的助熔剂不含高毒元素，且均可以在市场方便够得，价格低廉，生长过程中产生的废渣对环境的污染和损害较小。
基本信息
专利标题 ：
大尺寸钨酸铋晶体的助熔剂生长方法及应用
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114561704A
申请号 ：
CN202210110657.8
公开（公告）日 ：
2022-05-31
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田相鑫刘敬权
申请人 ：
临沂大学
申请人地址 ：
山东省临沂市兰山区双岭路中段临沂大学科技处
代理机构 ：
天津睿勤专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟福成
优先权 ：
CN202210110657.8
主分类号 ：
C30B29/32
IPC分类号 ：
C30B29/32 C30B28/02 C30B9/12 G01T1/202 G02F1/355
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
C30B29/32
钛酸盐；锗酸盐；钼酸盐；钨酸盐
法律状态
2022-05-31 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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