高抗辐照氟化钡晶体的生长技术
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明给出在氧化气氛炉中生长高抗辐照氟化钡闪烁晶体的新技术。本发明的核心是防止和消除在氧化气氛下可能出现的氧化污染和水解。主要技术有：制备氧离子高度净化的高纯BaF2原料；防止水解和氧化作用的各项技术；如何使用生长氧化物单晶的引下炉和铂坩埚于氟化物晶体等。本发明由于无需掺入Pb等有害杂质，所以制备的晶体抗辐照能力强。并且投资省、成本低，宜于大批量生产大尺寸优质BaF2闪烁晶体。
基本信息
专利标题 ：
高抗辐照氟化钡晶体的生长技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1055208A
申请号 ：
CN90102828.2
公开（公告）日 ：
1991-10-09
申请日 ：
1990-03-31
授权号 ：
CN1023240C
授权日 ：
1993-12-22
发明人 ：
沈定中殷之文苏伟堂潘志雷
申请人 ：
中国科学院上海硅酸盐研究所
申请人地址 ：
200050上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
聂淑仪
优先权 ：
CN90102828.2
主分类号 ：
C30B29/12
IPC分类号 ：
C30B29/12 C30B11/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/12
卤化物
法律状态
1996-05-15 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-12-22 ：
授权
1991-10-09 ：
公开
1991-03-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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