金属双晶及三晶体的生长技术和装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明金属双晶及三晶体的生长技术和装置。本发明是一种Bridgmen方法生长金属双晶和三晶的技术和装置包括原料制备，晶体生长及退火，使用5N原料，清洗处理后杂质含量低于100PPM，退火温度为800～1000℃，时间10～12小时，其特征在于生长时坩埚不动只移动温场，温场的纵向温度递度15～20％/cm，移动速度为0.5～2毫米/分钟。实施本发明所用装置包括传动机构，控温机构，保温机构及坩埚。其特征在于所用坩埚是由不同功用结构件组合而成。具有使用方便，寿命长，仔晶和晶体易于装卸、双晶和三晶的晶体学参数易于控制等优点。
基本信息
专利标题 ：
金属双晶及三晶体的生长技术和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1067933A
申请号 ：
CN92104638.3
公开（公告）日 ：
1993-01-13
申请日 ：
1992-06-19
授权号 ：
CN1025633C
授权日 ：
1994-08-10
发明人 ：
蔡民吴希俊李光海
申请人 ：
中国科学院固体物理研究所
申请人地址 ：
230031安徽省合肥市1129信箱
代理机构 ：
中国科学院合肥专利事务所
代理人 ：
周国城
优先权 ：
CN92104638.3
主分类号 ：
C30B11/02
IPC分类号 ：
C30B11/02 C30B29/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
C30B11/02
不使用溶剂的
法律状态
1996-07-31 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1994-08-10 ：
授权
1993-01-13 ：
公开
1992-11-18 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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