本发明提供能够提高基板的温度的均匀性的气相生长装置。气相生长装置具备：反应室；支架，设置于反应室中，并载置基板；第一及第二加热器，分别设置于反应室中，位于支架的下方，支架包括：内侧区域；环状的外侧区域，包围内侧区域且在载置有基板的情况下包围基板；以及支承部，设置于内侧区域之上，能够支承基板的下表面，为环状且具有圆弧部分，圆弧部分的外周端与外侧区域的内周端之间的距离为6mm以下，支承部的宽度为3mm以上，在以基板的中心与支架的中心一致的方式将基板载置于支架的情况下，若基板的半径为R1，圆弧部分的外周端的半径为R4，基板的外周端与和圆弧部分对置的外侧区域的内周端之间的距离为D1，则满足下述式1。R1‑D1>R4(式1)。