化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
专利权的终止
摘要
化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法，在700～850℃的衬底温度下，以GeH4、C2H4为反应气源，保持腔体压强10～100Pa，C2H4分压0.01～0.15Pa，GeH4分压0.10～1.10Pa，气源与衬底外扩的Si发生外延反应，结合外延层中的Ge向衬底扩散，最终在衬底表面生长一层Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层，缓冲层的厚度为0.5～10微米；继而生长Ge薄膜；尤其是在400～600℃下保持腔体压强15～100Pa，GeH4分压0.17～1.11Pa，在Ge组分渐变的Si1－xGex：C缓冲层上外延Ge薄膜。该缓冲层的存在，在Si衬底上形成了一系列的低失配界面，实现位错密度和热失配的递减，从而实现连续的应变弛豫。
基本信息
专利标题 ：
化学气相淀积生长掺碳硅锗合金缓冲层及生长锗薄膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1800445A
申请号 ：
CN200510095459.5
公开（公告）日 ：
2006-07-12
申请日 ：
2005-11-17
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
韩平王荣华夏冬梅刘成祥谢自力赵红修向前朱顺明顾书林施毅张荣郑有炓
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210093江苏省南京市汉口路22号
代理机构 ：
南京天翼专利代理有限责任公司
代理人 ：
汤志武
优先权 ：
CN200510095459.5
主分类号 ：
C23C16/06
IPC分类号 ：
C23C16/06 C23C16/52
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/06
以金属材料的沉积为特征的
法律状态
2013-01-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101382117993
IPC(主分类) : C23C 16/06
专利号 : ZL2005100954595
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20111117
号牌文件序号 : 101382117993
IPC(主分类) : C23C 16/06
专利号 : ZL2005100954595
申请日 : 20051117
授权公告日 : 20090114
终止日期 : 20111117
2009-01-14 ：
授权
2006-09-06 ：
实质审查的生效
2006-07-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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