气相生长装置
授权
摘要
气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，与反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于第二副气体供给通路；第一控制电路，基于第一压力计的测定结果，对第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对第二流量控制器分别指示第二流量值。
基本信息
专利标题 ：
气相生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111172517A
申请号 ：
CN201911079497.X
公开（公告）日 ：
2020-05-19
申请日 ：
2019-11-07
授权号 ：
CN111172517B
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
伊藤英树
申请人 ：
纽富来科技股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
牛玉婷
优先权 ：
CN201911079497.X
主分类号 ：
C23C16/455
IPC分类号 ：
C23C16/455 C23C16/52 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/455
向反应室输入气体或在反应室中改性气流的方法
法律状态
2022-05-31 ：
授权
2020-06-12 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/455
申请日 : 20191107
申请日 : 20191107
2020-05-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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