微米晶气相生长装置
授权
摘要
本实用新型实施例涉及晶体材料生长技术领域，提供了一种微米晶气相生长装置。微米晶气相生长装置包括：反应腔，反应腔内设置有原料棒；光束整形元器件，每个光束整形元器件上安装有激光输出头，多个光束整形元器件围绕反应腔设置并朝向原料棒定位；其中，原料棒的顶端位于经由多个光束整形元器件调整后汇聚形成的激光聚焦光斑处。本实用新型实施例提供的微米晶气相生长装置，通过设置光束整形元器件实现了光强分布的精确调控，同时将分散的光束调整成准直光束，通过多个光束整形元器件的光束聚焦，实现了聚焦光斑形状；通过设置激光输出头，将热源改为激光，增大了热源的加热功率，可实现高分解温度微米晶的生长，显著地提高了微米晶的生长速度。
基本信息
专利标题 ：
微米晶气相生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020790915.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-13
授权号 ：
CN212270233U
授权日 ：
2021-01-01
发明人 ：
蒋毅坚廖逸民闫胤洲王强涂冶
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京路浩知识产权代理有限公司
代理人 ：
张琪
优先权 ：
CN202020790915.8
主分类号 ：
C23C16/48
IPC分类号 ：
C23C16/48 C30B25/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/48
辐射法，例如光分解、辐射分解、粒子辐射
法律状态
2021-01-01 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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