本发明公开了一种气相沉积材料生长和成型的方法与装置。该方法包括步骤：1)通入工作气体；2)入射一束激光到衬底表面建立离化通道；3)在置于光路上的针尖电极上加一正高压；4)确定起始生长位置，开始气相沉积过程；5)使柱状放电按设定模式扫描；6)配合衬底的空间扫描，控制指定位置上的生长时间和当时的工作气体的成分，实现平面上的位置、厚度和组分的四维结构的一次性成型。该装置包括：真空室，衬底台，针尖电极，激光器，激光导入构件，扫描电镜，所述电极沿激光束建立的离子通道和衬底表面之间形成一准直的柱状放电区。本发明的优点：逐点生长，提高控制薄膜参数的精度；四维结构的一次性成型；可利用现成的激光束作后处理。