在阶梯结构上沉积材料的方法
公开
摘要
公开了一种用于沉积材料的方法。一种示例性方法包括：将设置有包括顶表面、底表面和侧壁的阶梯结构的衬底定位在反应室中；将反应室的压力控制至过程压力；提供前体；提供反应物；以及向等离子体提供RF等离子体功率，其中，通过同时地提供前体、反应物和等离子体，同时将过程压力控制至小于或等于200Pa，并将RF等离子体功率控制至大于或等于0.21W/cm2，将材料沉积在阶梯结构的顶表面、底表面和侧壁上。
基本信息
专利标题 ：
在阶梯结构上沉积材料的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114427085A
申请号 ：
CN202111180869.5
公开（公告）日 ：
2022-05-03
申请日 ：
2021-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
小岛健太郎桑野健芝英一郎
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111180869.5
主分类号 ：
C23C16/509
IPC分类号 ：
C23C16/509 C23C16/34 C23C16/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
C23C16/505
采用射频放电
C23C16/509
采用内电极
法律状态
2022-05-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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