材料沉积布置、真空沉积系统和用于制造材料沉积布置的方法
公开
摘要
描述了一种用于在真空沉积腔室中将材料沉积在基板上的材料沉积布置。所述材料沉积布置包括：坩埚，所述坩埚被配置为通过开口蒸发材料；分配组件，所述分配组件被配置为通过多个喷嘴排出蒸发的材料；以及第一碳环和第二碳环，所述第一碳环和所述第二碳环在所述坩埚与所述分配组件之间，其中所述坩埚包括围绕所述开口向外延伸的第一凸缘，其中所述分配组件包括在与所述坩埚的连接部分处的第二凸缘，其中所述第一凸缘包括在所述第一凸缘的上表面上的第一钼环，其中所述第二凸缘包括在所述第二凸缘的下表面上的第二钼环，并且其中所述第一碳环与所述第一钼环接触，并且所述第二碳环与所述第二钼环接触。
基本信息
专利标题 ：
材料沉积布置、真空沉积系统和用于制造材料沉积布置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114599814A
申请号 ：
CN201980101694.9
公开（公告）日 ：
2022-06-07
申请日 ：
2019-10-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
罗华英
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN201980101694.9
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/14 H01L51/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-06-07 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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