气相生长装置、环状支架以及气相生长方法
授权
摘要
本发明涉及气相生长装置、环状支架以及气相生长方法。实施方式的气相生长装置具备：反应室；环状支架，其为设置于反应室内并载置基板的环状支架，具备环状的外周部、和具有与外周部的上表面相比位于下方的基板载置面的环状的内周部，基板载置面是在圆周方向上重复凸区域和凹区域的六次旋转对称的曲面；和加热器，其设置于环状支架的下方。
基本信息
专利标题 ：
气相生长装置、环状支架以及气相生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107978552A
申请号 ：
CN201711006295.3
公开（公告）日 ：
2018-05-01
申请日 ：
2017-10-25
授权号 ：
CN107978552B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
家近泰津久井雅之石川幸孝
申请人 ：
纽富来科技股份有限公司
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
周欣
优先权 ：
CN201711006295.3
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/67 H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-05-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/687
申请日 : 20171025
申请日 : 20171025
2018-05-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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