一种半导体化学气相沉积支架
授权
摘要
本实用新型公开了一种半导体化学气相沉积支架，包括底座以及底座顶部贴合的圆罩，所述底座四个侧边中心处均开设有限位滑槽，所述圆罩外侧壁贴合有推板，且推板下端面开设有限位块，且限位块与限位滑槽滑动连接，所述底座底部设有第一转盘以及第二转盘，所述第一转盘内腔开设有引导槽，所述第二转盘上开设有滑槽，所述限位块下端面螺纹旋合固定有限位螺柱，所述限位螺柱分别与引导槽以及滑槽滑动连接，所述第二转盘中心处通过轴承与第一转盘转动连接。本实用新型中，由于采用了中心限位结构，减少圆罩安装过程中偏移漏气问题，又由于采用了一体式固定结构，以减少底座与圆罩之间产生相对振动漏气的可能性。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体化学气相沉积支架
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922028053.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-22
授权号 ：
CN210575892U
授权日 ：
2020-05-19
发明人 ：
吉学东
申请人 ：
南通通州东大机械有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市通州区平东工业园区西环路18号
代理机构 ：
郑州芝麻知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王越
优先权 ：
CN201922028053.5
主分类号 ：
H01L21/687
IPC分类号 ：
H01L21/687 H01L21/67 C23C16/458
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/683
用于支承或夹紧的
H01L21/687
使用机械装置的，例如卡盘、夹具或夹子
法律状态
2020-05-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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