控制晶体生长装置的系统及其熔体再补给系统
专利权的终止
摘要

一种用以在供生长选定材料的管状晶体用的装置的坩埚中控制再补给熔化物的系统的操作的控制系统。该熔化物再补给系统包含一个用以存贮所述选定材料的固体粒子的容器和一个用以把所述粒子从容器输送给坩埚的配量器。该控制系统根据存贮于容器中硅粒子的重量、晶体的重量和晶体内部压力控制配量器从该容器输送粒子给坩埚的速率。另一方面,该控制系统可适于控制该装置的坩埚加热器的温度。本发明对由于管状晶体之内压力波动而造成的重量测量误差提供补偿。

基本信息
专利标题 :
控制晶体生长装置的系统及其熔体再补给系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1054804A
申请号 :
CN91101558.2
公开(公告)日 :
1991-09-25
申请日 :
1991-03-11
授权号 :
CN1026134C
授权日 :
1994-10-05
发明人 :
布赖恩·H·麦金托什劳伦斯·埃里斯
申请人 :
无比太阳能公司
申请人地址 :
美国马萨诸塞州
代理机构 :
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 :
郭伟刚
优先权 :
CN91101558.2
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/66  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2011-04-27 :
专利权的终止
专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101065688236
IPC(主分类) : C30B 15/20
专利号 : ZL911015582
申请日 : 19910311
授权公告日 : 19941005
期满终止日期 : 20110311
2007-02-21 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : RWE肖特太阳公司
变更后 : 肖特太阳公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国麻萨诸塞州
变更后 : 美国麻萨诸塞州
2004-08-04 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : ASE美国公司
变更后 : RWE肖特太阳公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国马萨诸塞州
变更后 : 美国马萨诸塞州
2002-06-12 :
其他有关事项
1994-10-05 :
授权
1993-06-30 :
实质审查请求的生效
1991-09-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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