一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法，包括步骤：在硅衬底先进行表面改性处理：将做改性处理的所述表面先进行铺Al，得到铺Al层，在所述铺Al层表面上在700‑900度下生长一层低温AlN层，然后升温到1100‑1350度生长高温AlN层。本发明对Si衬底表面改性后先生长低温AlN层再生长高温AlN层，使得AlN薄膜表面无孔洞，同时AlN薄膜中的螺位错明显降低，有利于制备高性能的AlN及AlGaN基器件。
基本信息
专利标题 ：
一种Si衬底无孔洞AlN薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114388663A
申请号 ：
CN202111519076.1
公开（公告）日 ：
2022-04-22
申请日 ：
2021-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
高江东张建立李丹郑畅达王小兰江风益
申请人 ：
南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
代理机构 ：
江西省专利事务所
代理人 ：
张文
优先权 ：
CN202111519076.1
主分类号 ：
H01L33/00
IPC分类号 ：
H01L33/00 H01L33/12 H01L33/44 H01L21/02
法律状态
2022-05-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 33/00
申请日 : 20211214
申请日 : 20211214
2022-04-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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