高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池
授权
摘要
本发明公开了一种高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池。制备方法包括：步骤A，清洗玻璃衬底；步骤B，对步骤A得到的玻璃衬底的表面进行反应离子刻蚀处理；步骤C，使用盐酸溶液对所述步骤B得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；步骤D，使用氢氟酸溶液对所述步骤C得到的玻璃衬底进行腐蚀处理；以及步骤E，清洗并干燥所述步骤D得到的玻璃衬底。通过本公开的制备方法得到的高雾度玻璃衬底具有均匀分布微米量级尺寸形状的粗糙形貌，所制备的高雾度玻璃衬底上粗糙形貌基本单元的尖锐程度可调控。
基本信息
专利标题 ：
高雾度玻璃衬底、制备方法及薄膜太阳电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111943520A
申请号 ：
CN202010805925.9
公开（公告）日 ：
2020-11-17
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
CN111943520B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
孟磊杨涛
申请人 ：
中国科学院半导体研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区清华东路甲35号
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
刘歌
优先权 ：
CN202010805925.9
主分类号 ：
C03C15/00
IPC分类号 ：
C03C15/00 H01L31/0236 H01L51/00 H01L51/42
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C03
玻璃；矿棉或渣棉
C03C
玻璃、釉或搪瓷釉的化学成分；玻璃的表面处理；由玻璃、矿物或矿渣制成的纤维或细丝的表面处理；玻璃与玻璃或与其他材料的接合
C03C15/00
纤维和丝之外的蚀刻法玻璃表面处理
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2020-12-04 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C03C 15/00
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2020-11-17 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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