一种滤波器薄膜衬底及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种滤波器薄膜衬底及其制备方法。所述方法包括：S100:提供支撑衬底；S200:在所述支撑衬底的一侧表面上预设厚度的压电薄膜；S300:对所述压电薄膜进行热处理，将所述压电薄膜加热至居里温度以上，保温第一预设时间；在所述热处理的过程中对所述压电薄膜施加预设电压；S400:在所述压电薄膜上施加能量脉冲，以将所述压电薄膜转变为目标压电层，得到所述薄膜衬底，所述目标压电层为择优取向的多晶压电薄膜。本申请实现了极化取向随机排布的多晶压电薄膜向择优取向的高质量多晶压电薄膜的转变，以及非晶压电薄膜向多晶压电薄膜的转变，提高了压电薄膜的材料质量，有利于制备高频和高性能的体声波器件。
基本信息
专利标题 ：
一种滤波器薄膜衬底及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114465589A
申请号 ：
CN202210105227.7
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
欧欣李忠旭黄凯
申请人 ：
上海新硅聚合半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区汇源路55号8幢3层J
代理机构 ：
广州三环专利商标代理有限公司
代理人 ：
王若愚
优先权 ：
CN202210105227.7
主分类号 ：
H03H3/02
IPC分类号 ：
H03H3/02 H03H9/56 H03H9/58
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H03H 3/02
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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