锰氧化物异质薄膜及其制备方法
专利权的终止
摘要
本发明公开了一种锰氧化物异质薄膜，包括硅单晶基片、铁薄膜和银电极，其特征在于：还包括La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在边长为1～2mm硅单晶基片对称线位置是一层宽为0.8～1mm、长与硅单晶基片边长相等的铁薄膜，铁薄膜长边上的对称线与硅单晶基片对称线重合，在铁薄膜上面中心位置是0.5～1×0.5～1mm、厚度为30～50nm的La0.7Sr0.3MnO3薄膜，在La0.7Sr0.3MnO3薄膜上面是一层与底层铁薄膜位置垂直、大小薄厚相同的铁薄膜，在两层铁薄膜的两端是银电极。还公开了上述锰氧化物异质薄膜的制备方法，采用磁控溅射方法在硅单晶基片上依次溅射铁薄膜/La0.7Sr0.3MnO3薄膜/铁薄膜，使La0.7Sr0.3MnO3薄膜处于铁薄膜之间，利用隧道磁电阻的形式，使磁场灵敏度达到60％/T。
基本信息
专利标题 ：
锰氧化物异质薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1822408A
申请号 ：
CN200610041607.X
公开（公告）日 ：
2006-08-23
申请日 ：
2006-01-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金克新陈长乐赵省贵
申请人 ：
西北工业大学
申请人地址 ：
710072陕西省西安市友谊西路127号
代理机构 ：
西北工业大学专利中心
代理人 ：
黄毅新
优先权 ：
CN200610041607.X
主分类号 ：
H01L43/08
IPC分类号 ：
H01L43/08 H01L43/12 C23C14/34
法律状态
2012-03-14 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101201709850
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利号 : ZL200610041607X
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20080521
终止日期 : 20110106
号牌文件序号 : 101201709850
IPC(主分类) : H01L 43/08
专利号 : ZL200610041607X
申请日 : 20060106
授权公告日 : 20080521
终止日期 : 20110106
2008-05-21 ：
授权
2006-10-18 ：
实质审查的生效
2006-08-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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