硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜

授权

摘要

本实用新型提供了用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜。用于硅异质结太阳电池的叠层透明导电氧化物薄膜包括：氢掺杂氧化铟层；TCO接触层，TCO接触层设置在氢掺杂氧化铟层的一个表面上。由此，氢掺杂氧化铟层具有较高的载流子迁移率，其可以大大提高叠层透明导电氧化物薄膜的整体载流子迁移率，进而降低叠层透明导电氧化物薄膜的电阻率，提升硅异质结太阳电池的使用性能；而且，在硅异质结太阳电池中，TCO接触层的设置可以保证叠层透明导电氧化物薄膜与硅异质结太阳电池中的金属电极良好的接触，以降低两者之间的接触电阻；再者，轻掺杂氧化铟层具有较高的透光率，故而不会影响叠层透明导电氧化物薄膜的透光效果。

基本信息

专利标题：

硅异质结太阳电池及叠层透明导电氧化物薄膜

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201922326551.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-12-20

授权号：

CN211828779U

授权日：

2020-10-30

发明人：

王伟赵晓霞宫元波田宏波宗军周永谋李洋杨文魁

申请人：

国家电投集团科学技术研究院有限公司;国家电投集团新能源科技有限公司

申请人地址：

北京市昌平区未来科技城国家电投集团科学技术研究院有限公司院内A座8层至11层

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

宋合成

优先权：

CN201922326551.8

主分类号：

H01L31/0224

IPC分类号：

H01L31/0224 H01L31/0747