铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
视为撤回的专利申请
摘要
一种铟锡氧化物透明导电膜的生产工艺。本发明涉及优质铟锡氧化物透明导电膜的制备及大规模工业性生产工艺。该生产工艺技术参数采用的组合方式，能在低温基片上快速直接获得ITO透明导电膜；采用曲线控制蒸发过程使工艺和性能的重现性达到或接近100％；采用多舟并联择优分布法以获得大面积均匀的优质ITO膜。
基本信息
专利标题 ：
铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN87107654A
申请号 ：
CN87107654.3
公开（公告）日 ：
1988-10-12
申请日 ：
1987-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
彭传才金昭廷
申请人 ：
国防科学技术大学
申请人地址 ：
湖南省长沙市北区
代理机构 ：
国防科学技术大学专利办公室
代理人 ：
盛湘饶
优先权 ：
CN87107654.3
主分类号 ：
H01B5/14
IPC分类号 ：
H01B5/14 C23C14/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B5/00
按形状区分的非绝缘导体或导电物体
H01B5/14
在绝缘支承物上有导电层或导电薄膜的
法律状态
1991-10-02 ：
视为撤回的专利申请
1988-10-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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