一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
专利申请的视为撤回
摘要
本发明是一种金属氧化物高温超导薄膜的制备技术。它用钇、钡、铜金属有机物或铋、锶、钙、铜金属有机物或铊、钙、钡、铜金属有机物作有机源，在改进的金属有机物化学气相沉积系统中，氧参与的情况下，以等离子激励，代替或增强热解反应，从而直接在单晶衬底片上沉积生长临界温度在液氮温区的光亮、致密氧化物高温超导薄膜。是一种兼有化学气相沉积和物理气相沉积氧化物超导薄膜优点的方法。
基本信息
专利标题 ：
一种金属氧化物超导薄膜的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045658A
申请号 ：
CN89101507.8
公开（公告）日 ：
1990-09-26
申请日 ：
1989-03-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
白国仁陶卫谢雷鸣王蓉宗家庭章熙康刘玉琼
申请人 ：
中国科学院上海冶金研究所
申请人地址 ：
上海市长宁区长宁路865号
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
沈德新
优先权 ：
CN89101507.8
主分类号 ：
H01B12/06
IPC分类号 ：
H01B12/06 H01L39/24
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
H01B12/02
按其形状区分的
H01B12/06
在基体上或线芯上的薄膜或线
法律状态
1995-05-24 ：
专利申请的视为撤回
1992-05-27 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-09-26 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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