铋系复合氧化物超导薄膜的成膜方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
利用物理沉积法在基板上将至少含有铋和铜的复合氧化物制成薄膜的成膜方法，其特征是成膜时的基板温度在670～750℃范围内。
基本信息
专利标题 ：
铋系复合氧化物超导薄膜的成膜方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1041237A
申请号 ：
CN89107753.7
公开（公告）日 ：
1990-04-11
申请日 ：
1989-08-28
授权号 ：
CN1018311B
授权日 ：
1992-09-16
发明人 ：
桧垣贤次郎原田敬三藤森直治糸崎秀夫矢津修示
申请人 ：
住友电器工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
段承恩
优先权 ：
CN89107753.7
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01B12/06
法律状态
2005-10-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-06-23 ：
授权
1992-09-16 ：
审定
1991-03-06 ：
实质审查请求已生效的专利申请
1990-04-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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