一种超导薄膜及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种超导薄膜及其制备方法，其中，超导薄膜的制备方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成刻蚀保护层，并在所述刻蚀保护层上形成掩膜图形；将所述刻蚀保护层作为掩膜，在所述衬底靠近所述刻蚀保护层的一侧沉积超导薄膜层，所述超导薄膜层包括图形化结构，所述图形化结构与所述掩膜图形一致。本发明提供了一种超导薄膜及其制备方法，以解决现有的超导薄膜制备出来的超导波导在不同位置的品质因子相差较大的问题。
基本信息
专利标题 ：
一种超导薄膜及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110534429A
申请号 ：
CN201910854934.4
公开（公告）日 ：
2019-12-03
申请日 ：
2019-09-10
授权号 ：
CN110534429B
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
冯加贵熊康林丁孙安武彪孙骏逸黄永丹陆晓鸣芮芳
申请人 ：
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号
代理机构 ：
北京品源专利代理有限公司
代理人 ：
孟金喆
优先权 ：
CN201910854934.4
主分类号 ：
H01L21/3205
IPC分类号 ：
H01L21/3205 H01L21/322
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IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3205
非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层或电阻层；这些层的后处理
法律状态
2022-06-03 ：
授权
2019-12-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/3205
申请日 : 20190910
申请日 : 20190910
2019-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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