高临界温度超导薄膜制备方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明为高临界温度(90K)超导薄膜制备方法。采用超高真空系统，单个化合物靶，高气压低电压直流磁控溅射、原位外延生长、原位低温热处理制备工艺，用于制备MBa2Cu3O7型高临界温度氧化物超导薄膜(M＝Y，Eu，Gd，Tb，Dy，Ho，Er，Tm，Yb)。零电阻临界温度高达92.7K，77K临界电流密度高达3.6MA/cm2。这种薄膜可用于制备在液氮温度下工作的超导电子器件和超导体-半导体混合电子器件。
基本信息
专利标题 ：
高临界温度超导薄膜制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045311A
申请号 ：
CN90101675.6
公开（公告）日 ：
1990-09-12
申请日 ：
1990-03-28
授权号 ：
CN1015034B
授权日 ：
1991-12-04
发明人 ：
王瑞兰李宏成易怀仁
申请人 ：
中国科学院物理研究所
申请人地址 ：
100080北京市603信箱
代理机构 ：
中国科学院物理研究所专利办公室
代理人 ：
张爱莲
优先权 ：
CN90101675.6
主分类号 ：
H01B12/06
IPC分类号 ：
H01B12/06 H01L39/24 H01L39/12
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
H01B12/02
按其形状区分的
H01B12/06
在基体上或线芯上的薄膜或线
法律状态
1994-02-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1992-07-08 ：
授权
1991-12-04 ：
审定
1990-09-12 ：
公开
1990-08-29 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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