高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
摘要
高Tc超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法。宏观方法为：把一高Tc超导氧化陶瓷粉末压入一不与氧反应的中空体内；在足以烧结此超导氧化陶瓷粉末的条件下对已填入此氧化陶瓷粉末的中空体进行热处理；然后密封中空体的所有开口。热处理期间，可选择地施加交变磁场。微观方法为：先制出高Tc超导氧化陶瓷薄膜；选择在某一磁场中烧结淀积的薄膜；利用扫描隧道电子处理机除去薄膜中的部分氧含量，以便在该薄膜的二个高Tc超导畴间形成微观绝缘层。$
基本信息
专利标题 ：
高临界温度超导氧化陶瓷产品及其宏观与微观制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1088018A
申请号 ：
CN92113753.2
公开（公告）日 ：
1994-06-15
申请日 ：
1992-12-11
授权号 ：
CN1084027C
授权日 ：
2002-05-01
发明人 ：
周大卫
申请人 ：
周大卫
申请人地址 ：
美国佛罗里达州
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
王以平
优先权 ：
CN92113753.2
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 H01L39/24 H01L39/12 C04B35/50
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2009-02-11 ：
专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2002-05-01 ：
授权
2001-02-28 ：
发明专利申请公开说明书更正
卷 : 16
号 : 10
页码 : 扉页
更正项目 : 视为撤回
误 : 视撤
正 : 恢复
号 : 10
页码 : 扉页
更正项目 : 视为撤回
误 : 视撤
正 : 恢复
2001-02-28 ：
发明专利公报更正
更正卷 : 16
号 : 10
页码 : 190
更正项目 : 视为撤回
误 : 视撤
正 : 恢复
号 : 10
页码 : 190
更正项目 : 视为撤回
误 : 视撤
正 : 恢复
2000-03-08 ：
专利申请的视为撤回
1995-09-13 ：
实质审查请求的生效
1994-06-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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