铜氧化物超导陶瓷的制法
专利权的终止(专利权有效期届满)
摘要
本发明涉及一种铜氧化物超导陶瓷的制法，包括将含稀土元素的化合物、含碱土元素的化合物、含铜化合物以及含氧化合物进行混合，其中稀土原子、碱土原子与铜原子的比例为1∶2∶3，然后对该混合物进行热处理，将其制成超导性物质，其临界温度为50-107°K。
基本信息
专利标题 ：
铜氧化物超导陶瓷的制法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045001A
申请号 ：
CN90101336.6
公开（公告）日 ：
1990-08-29
申请日 ：
1987-12-12
授权号 ：
CN1020518C
授权日 ：
1993-05-05
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
杨九昌
优先权 ：
CN90101336.6
主分类号 ：
H01B12/00
IPC分类号 ：
H01B12/00 C04B35/50 C04B35/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆；导体；绝缘体；导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2008-04-23 ：
专利权的终止(专利权有效期届满)
2002-04-24 ：
其他有关事项
1993-05-05 ：
授权
1990-08-29 ：
公开
1990-08-22 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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