高临界温度超导厚膜磁场梯度计
专利权的终止专利权有效期届满
摘要
本实用新型涉及与超导量子干涉器(SQUID)配用的高TC超导厚膜磁场梯度计，主要包括：衬底、输入线圈、探测线圈以及回线和中间绝缘层，探测线圈是一对匝数、尺寸相同、定间隔同轴反向串联的线圈，它们与输入线圈、回线一起构成超导闭合回路，所用超导材料是Y系或Bi系氧化物，衬底用ZrO，Al2O3，SrTi3O或MgO材料，中间绝缘层用Y2BaCuO，BaCuO，ZrO，Al2O3，SrTi3O，PrBa2Cu3O或MgO材料，磁场梯度计用于探测变化的空间磁场分布。
基本信息
专利标题 ：
高临界温度超导厚膜磁场梯度计
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90206908.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-05-28
授权号 ：
CN2066993U
授权日 ：
1990-12-05
发明人 ：
李汉青林安中
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
陆菊华
优先权 ：
CN90206908.X
主分类号 ：
G01R33/022
IPC分类号 ：
G01R33/022
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01R
测量电变量；测量磁变量
G01R33/00
测量磁变量的装置或仪器
G01R33/02
测量磁场或磁通量的方向或大小
G01R33/022
测量梯度
法律状态
1996-01-17 ：
专利权的终止专利权有效期届满
1991-07-03 ：
授权
1990-12-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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