厚膜超导电子器件及其制造方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提出了一种由超导厚膜组成的超导器件及其制造方法，所说的超导膜由厚度为5～30微米的稀土-钡-铜-氧系的氧化物系超导材料组成。本发明提出的超导器件的制造方法包括在基板上制膜、制微桥、烧制、按导通的电流电极和电压电极工序组成，还可包括在烧制后在微桥上制微孔穴工序。在基板上制膜工序采用丝网印刷技术。本发明提出的超导器件性能稳定、容易制造，其制造方法简单，所需设备简单、成本低。
基本信息
专利标题 ：
厚膜超导电子器件及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1036300A
申请号 ：
CN88101614.4
公开（公告）日 ：
1989-10-11
申请日 ：
1988-03-31
授权号 ：
CN1012241B
授权日 ：
1991-03-27
发明人 ：
林安中李汉青
申请人 ：
北京有色金属研究总院
申请人地址 ：
北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京市第三专利代理事务所
代理人 ：
陆菊华
优先权 ：
CN88101614.4
主分类号 ：
H01L39/22
IPC分类号 ：
H01L39/22 H01L39/24
相关图片
法律状态
2005-06-01 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 ：
其他有关事项
2000-07-05 ：
著录项目变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 北京有色金属研究院
变更后 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088北京市海淀区北三环中路43号
变更前 : 北京有色金属研究院
变更后 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088北京市海淀区北三环中路43号
1991-10-30 ：
授权
1991-03-27 ：
审定
1990-12-19 ：
实质审查请求
1989-10-11 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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